雙通道內(nèi)存技術其實是一種內(nèi)存控制和管理技術，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它并不是什么新技術，早就被應用于服務器和工作站系統(tǒng)中了，只是為了解決臺式機日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它才走到了臺式機主板技術的前臺。在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構成了一對黃金搭檔，所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮點，但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持，所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術均是指雙通道DDR內(nèi)存技術，主流雙通道內(nèi)存平臺英特爾方面是英特爾865、875系列，而Axx方面則是NVIDIANforce2系列。
雙通道內(nèi)存技術是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價、高性能的方案?，F(xiàn)在CPU的FSB(前端總線頻率)越來越高，英特爾Pentium4比 AxxAthlonXP對內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。英特爾Pentium4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR(QuadDataRate，四次數(shù)據(jù)傳輸)技術，其FSB是外頻的4倍。英特爾Pentium4的FSB分別是400、533、800MHz，總線帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB /sec和6.4GB/sec，而DDR266/DDR333/DDR400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和 3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下，DDR內(nèi)存無法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系統(tǒng)的性能瓶頸。而在雙通道內(nèi)存模式下，雙通道 DDR266、DDR333、DDR400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這里可以看到，雙通道DDR400內(nèi)存剛好可以滿足800MHzFSBPentium4處理器的帶寬需求。而對AxxAthlonXP平臺而言，其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術采用DDR(DoubleDataRate，雙倍數(shù)據(jù)傳輸)技術，F(xiàn)SB是外頻的2倍，其對內(nèi)存帶寬的需求遠遠低于英特爾Pentium4平臺，其 FSB分別為266、333、400MHz，總線帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR266、 DDR333、DDR400就能滿足其帶寬需求，所以在AxxK7平臺上使用雙通道DDR內(nèi)存技術，可說是收效不多，性能提高并不如英特爾平臺那樣明顯，對性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。
NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個把DDR內(nèi)存接口擴展為128-bit的芯片組，隨后英特爾在它的E7500服務器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內(nèi)存技術，SiS和VIA也紛紛響應，積極研發(fā)這項可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長的技術。但是，由于種種原因，要實現(xiàn)這種雙通道 DDR(128bit的并行內(nèi)存接口)傳輸對于眾多芯片組廠商來說絕非易事。DDRSDRAM內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完全不同，后者有著高延時的特性并且為串行傳輸方式，這些特性決定了設計一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDRSDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性，它本身是低延時特性的，采用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點：當DDRSDRAM工作頻率高于400MHz時，其信號波形往往會出現(xiàn)失真問題，這些都為設計一款支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來不小的難度，芯片組的制造成本也會相應地提高，這些因素都制約著這項內(nèi)存控制技術的發(fā)展。
普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器，理論上來說，兩個內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時運作。比如說兩個內(nèi)存控制器，一個為A、另一個為 B。當控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性”可以讓等待時間縮減50%。雙通道 DDR的兩個內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個控制器的時序參數(shù)都是可以單獨編程設定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構造、容量、速度的 DIMM內(nèi)存條，此時雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標準來實現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運作。
支持雙通道DDR內(nèi)存技術的臺式機芯片組，英特爾平臺方面有英特爾的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列;VIA的PT880，ATI的Radeon9100IGP系列，SIS的SIIS655，SIS655FX和SIS655TX;Axx平臺方面則有 VIA的KT880，NVIDIA的nForce2Ultra400，nForce2IGP，nForce2SPP及其以后的芯片。